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文献
J-GLOBAL ID：202102288960593175
整理番号：21A2326117
p-GaNゲートHEMTの表面ポテンシャルベースコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】
Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs
Wang Jie
(The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China)
,
Chen Zhanfei
(The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China)
,
You Shuzhen
(Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Bakeroot Benoit
(CMST, IMEC, Ghent University, Technologiepark 126, B-9052 Ghent, Belgium)
,
Liu Jun
(The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China)
,
Decoutere Stefaan
(Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名：
Micromachines (Web)
(Micromachines (Web))
巻： 12 号： 2 ページ： 199 発行年： 2021年
JST資料番号： U7247A ISSN： 2072-666X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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