文献
J-GLOBAL ID:202102289107742037
整理番号:21A0444542
DOEモデリングを用いたSiCビア(TSiCV)プロセス解析によるドライエッチング【JST・京大機械翻訳】
Dry Etched Through SiC Via (TSiCV) Process Analysis Using DOE Modeling
著者 (4件):
Mackowiak Piotr
(Fraunhofer IZM,Germany)
,
Schiffer Michael
(Fraunhofer IZM,Germany)
,
Scheider-Ramelow Martin
(Technische Universitaet Berlin,Germany)
,
Lang Klaus-Dieter
(Technische Universitaet Berlin,Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
EPTC
ページ:
10-13
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)