文献
J-GLOBAL ID:202102289203951307
整理番号:21A0234686
低転位欠陥を有する6インチN型SiC単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】
Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects
著者 (7件):
Zhang Fusheng
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Yang Kun
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Liu Xinhui
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Shang Yuanhang
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Niu Xiaolong
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Lu Yajuan
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
,
Li Tingting
(Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SSLChina: IFWS
ページ:
19-22
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)