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文献
J-GLOBAL ID:202102289682839999   整理番号:21A0233865

SHJ太陽電池のためのa-Si:Hおよび反応性ITOスパッタリングの不動態化特性の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Passivation Properties of a-Si:H and Reactive ITO Sputtering for SHJ Solar Cells
著者 (5件):
Donercark Ergi
(Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
Guler Secil
(Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
Ciftpinar E. Hande
(Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
Kabacelik Ismail
(Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
Turan Rasit
(Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2020  号: PVSC  ページ: 2308-2312  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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