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文献
J-GLOBAL ID：202102289822800727
整理番号：21A0577774
nチャネル歪シリコンMODFETを用いたサブテラヘルツ検出に及ぼす前面および背面照明の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of the Front and Back Illumination on Sub-Terahertz Detection Using n-Channel Strained-Silicon MODFETs
Delgado-Notario Juan A.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Calvo-Gallego Jaime
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Velazquez-Perez Jesus E.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Ferrando-Bataller Miguel
(Departament of Communications, Telecommunication Engineering School, Universitat Politecnica de Valencia, 46022 Valencia, Spain)
,
Fobelets Kristel
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Imperial College London, Exhibition Road, London SW7 2BT, UK)
,
Meziani Yahya M.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
資料名：
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻： 10 号： 17 ページ： 5959 発行年： 2020年
JST資料番号： U7135A ISSN： 2076-3417 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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