文献
J-GLOBAL ID:202102289822800727
整理番号:21A0577774
nチャネル歪シリコンMODFETを用いたサブテラヘルツ検出に及ぼす前面および背面照明の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of the Front and Back Illumination on Sub-Terahertz Detection Using n-Channel Strained-Silicon MODFETs
著者 (6件):
Delgado-Notario Juan A.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Calvo-Gallego Jaime
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Velazquez-Perez Jesus E.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
,
Ferrando-Bataller Miguel
(Departament of Communications, Telecommunication Engineering School, Universitat Politecnica de Valencia, 46022 Valencia, Spain)
,
Fobelets Kristel
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Imperial College London, Exhibition Road, London SW7 2BT, UK)
,
Meziani Yahya M.
(NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
資料名:
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻:
10
号:
17
ページ:
5959
発行年:
2020年
JST資料番号:
U7135A
ISSN:
2076-3417
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)