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文献
J-GLOBAL ID：202102290740349888
整理番号：21A0233912
全スパッタCdS/CdTeデバイスのための840mVを超える開路電圧【JST・京大機械翻訳】
Open-circuit Voltage Exceeding 840 mV for All-Sputtered CdS/CdTe Devices
Bastola Ebin
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Phillips Adam B.
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Shrestha Niraj
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Jamarkattel Manoj K.
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Awni Rasha A.
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Yan Yanfa
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Heben Michael J.
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
,
Ellingson Randy J.
(University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： PVSC ページ： 2513-2518 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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