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文献
J-GLOBAL ID：202102292036236063
整理番号：21A0875254
Si(111)基板上に成長させたAlN/GaN分布Bragg反射器に基づくGaN系発光ダイオードの光出力増強【JST・京大機械翻訳】
Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates
Yang Yibin
(School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China)
,
Zhang Lingxia
(College of Mechanical Engineering and Photoelectric Physics, Huaihua University, Huaihua 418000, China)
,
Zhao Yu
(School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China)
資料名：
Crystals (Web)
(Crystals (Web))
巻： 10 号： 9 ページ： 772 発行年： 2020年
JST資料番号： U7169A ISSN： 2073-4352 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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