文献
J-GLOBAL ID:202102292036236063
整理番号:21A0875254
Si(111)基板上に成長させたAlN/GaN分布Bragg反射器に基づくGaN系発光ダイオードの光出力増強【JST・京大機械翻訳】
Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates
著者 (3件):
Yang Yibin
(School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China)
,
Zhang Lingxia
(College of Mechanical Engineering and Photoelectric Physics, Huaihua University, Huaihua 418000, China)
,
Zhao Yu
(School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China)
資料名:
Crystals (Web)
(Crystals (Web))
巻:
10
号:
9
ページ:
772
発行年:
2020年
JST資料番号:
U7169A
ISSN:
2073-4352
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)