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J-GLOBAL ID：202102293904517114 整理番号：21A2171487

単一源前駆体としてビス(イソブチルジチオホスフィナト)鉛(II)錯体を用いたAACVD技術によるナノ構造硫化鉛堆積とそのインピーダンス研究【JST・京大機械翻訳】

Nanostructured Lead Sulphide Depositions by AACVD Technique Using Bis(Isobutyldithiophosphinato)Lead(II) Complex as Single Source Precursor and Its Impedance Study

著者 (8件)：

Iram Sadia

(School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan)

Iram Sadia

(Department of Materials, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK)

Mahmood Azhar

(School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan)

Sitara Effat

(School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan)

Bukhari Syeda Aqsa Batool

(School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan)

Fatima Syeda Arooj

(Physics Division, Pakistan Institute of Nuclear Science and Technology (Pinstech), P.O. Nilore, Islamabad 45500, Pakistan)

Shaheen Rubina

(Physics Division, Pakistan Institute of Nuclear Science and Technology (Pinstech), P.O. Nilore, Islamabad 45500, Pakistan)

Malik Mohammad Azad

(Department of Materials, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK)

資料名：

Nanomaterials (Web) (Nanomaterials (Web))

巻： 10 号： 8 ページ： 1438 発行年： 2020年
JST資料番号： U7252A ISSN： 2079-4991 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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