文献
J-GLOBAL ID:202102299476710621
整理番号:21A0446824
プラズマ誘起充電損傷:適切なMOS試験構造からアンテナ設計規則へ,包括的なプロセス認定手順【JST・京大機械翻訳】
Plasma induced charging damage: From appropriate MOS test structures to antenna design rules, a comprehensive process qualification procedure
著者 (1件):
Martin Andreas
(Infineon Technologies AG,corporative reliability department,Neubiberg,Germany,85579)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IIRW
ページ:
1-8
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)