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文献
J-GLOBAL ID：202202211187545261
整理番号：22A0906331
Au/Cu/n-Si/Au-Sb/Ni整流接触における障壁形成接触金属厚みに依存する電流電圧測定温度特性【JST・京大機械翻訳】
Current-voltage-measurement temperature characteristics depending on the barrier-forming contact metal thickness in Au/Cu/n-Si/Au-Sb/Ni rectifying contacts
Efeoglu Hasan
(Faculty of Engineering, Department of Electrical and Electronics Engineering, Atatuerk University, TR-25240, Erzurum, Turkey)
,
Turut Abdulmecit
(Faculty of Engineering and Natural Sciences, Department of Engineering Physics, Istanbul Medeniyet University, 34700 UEnalan, UEskudar, Istanbul, Turkey)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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