文献
J-GLOBAL ID:202202211580948831
整理番号:22A0492408
GaNとAlGaN上の湿式ベースディジタルエッチング【JST・京大機械翻訳】
Wet-based digital etching on GaN and AlGaN
著者 (5件):
Shih Pao-Chuan
(Microsystem Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
Engel Zachary
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Ahmad Habib
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Doolittle William Alan
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Palacios Tomas
(Microsystem Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
120
号:
2
ページ:
022101-022101-5
発行年:
2022年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)