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J-GLOBAL ID:202202211971597337   整理番号:22A0829740

HfO_2のElectronビーム誘起官能化による部位特異的調節メモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Site-Specific Regulated Memristors via Electron-Beam-Induced Functionalization of HfO2
著者 (7件):
Kumar Mohit
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Kumar Mohit
(Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Ahn Yeong Hwan
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Iqbal Shahid
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Kim Unjeong
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Seo Hyungtak
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
Seo Hyungtak
(Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)

資料名:
Small  (Small)

巻: 18  号:ページ: e2105585  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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