文献
J-GLOBAL ID:202202212184682895
整理番号:22A0931598
二波長ラマン散乱分光を用いたInGaN/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送解析
Analyses of phonon transport in InGaN/GaN heterostructures by Raman scattering spectroscopy using double lasers
著者 (7件):
石谷善博
(千葉大学大学院電気電子工学コース)
,
中山朋哉
(千葉大学大学院電気電子工学コース)
,
伊藤航太郎
(千葉大学大学院電気電子工学コース)
,
Ma Bei
(千葉大学大学院電気電子工学コース)
,
飯田大輔
(KAUST(カウスト),CEMSE部門)
,
Najmi Mohammed A.
(KAUST(カウスト),CEMSE部門)
,
大川和宏
(KAUST(カウスト),CEMSE部門)
資料名:
日本結晶成長学会誌(CD-ROM)
(Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻:
48
号:
4
ページ:
ROMBUNNO.48-4-04(J-STAGE)
発行年:
2022年
JST資料番号:
F0452C
ISSN:
2188-7268
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)