文献
J-GLOBAL ID:202202212243786849
整理番号:22A0847690
ESDロバスト性を強化するための移動電流フィラメントに対するHV-LDMOSデバイス工学洞察【JST・京大機械翻訳】
HV-LDMOS Device Engineering Insights for Moving Current Filament to Enhance ESD Robustness
著者 (3件):
Kranthi N. K.
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
,
Boselli Gianluca
(Analog Technology Development, Texas Instruments, Dallas, TX, USA)
,
Shrivastava Mayank
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
69
号:
3
ページ:
1242-1250
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)