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文献
J-GLOBAL ID：202202212351273304
整理番号：22A0550404
高性能p-nダイオードと接合電界効果トランジスタのための混合次元WS_2/GaSbヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】
A mixed-dimensional WS2/GaSb heterojunction for high-performance p-n diodes and junction field-effect transistors
Cheng Zichao
(MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China. zeng.haibo@njust.edu.cn xiufengsoong@njust.edu.cn xiangchen@njust....)
,
Song Xiufeng
,
Jiang Lianfu
,
Wang Lude
,
Sun Jiamin
,
Yang Zaixing
,
Jian Yuxuan
,
Zhang Shengli
,
Chen Xiang
,
Zeng Haibo
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10 号： 4 ページ： 1511-1516 発行年： 2022年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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