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文献
J-GLOBAL ID：202202212675618963
整理番号：22A0553324
繰返しUIS応力下の並列接続4H-SiC MOSFETの劣化に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on the Degradations of Parallel-Connected 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive UIS Stresses
Mao Hua
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Qiu Guanqun
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Jiang Xiaofeng
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Jiang Huaping
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Zhong Xiaohan
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Tang Lei
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Zhang Yifu
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Ran Li
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Wu Yuping
(State Grid Jibei Electric Power Co., Ltd., Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 2 ページ： 650-657 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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