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文献
J-GLOBAL ID：202202213143245531
整理番号：22A1114692
二次元スズ一硫化物相の電子ギャップ安定性:電子デバイス応用のための最適構造に向けて【JST・京大機械翻訳】
Electronic gap stability of two-dimensional tin monosulfide phases: Towards optimal structures for electronic device applications
Ribeiro Thiago C.
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Reis Rafael
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Ferreira Daniele C.
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Miquita Douglas R.
(Microscopy Center, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Ribeiro Guilherme A.S.
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Mazzoni Mario S.C.
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Malachias Angelo
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Chagas Thais
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
,
Chagas Thais
(Department Physik, Universitaet Siegen, Walter-Flex-Strasse 3, 57072 Siegen, Germany)
,
Magalhaes-Paniago Rogerio
(Departament of Physics, Federal University of Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 591 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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