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文献
J-GLOBAL ID：202202213162244747
整理番号：22A0898217
熱電応用のための種々の基板上の多結晶Si_0.7Ge_0.3の成長【JST・京大機械翻訳】
Growth of polycrystalline Si0.7Ge0.3 on various substrates for thermoelectric applications
Sison Gavin
(Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan)
,
Chiang Ping-ting
(Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan)
,
Lan Chung-wen
(Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 585 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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