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文献
J-GLOBAL ID：202202213308713954
整理番号：22A0449861
増強された駆動電流と急峻スイッチングを持つInSb/Siヘテロ接合ベースのトンネル電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
InSb/Si Heterojunction-Based Tunnelling Field-Effect Transistor with Enhanced Drive Current and Steep Switching
Swain Sukanta Kumar
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India)
,
Malviya Nishit
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India)
,
Singh Sangeeta
(Microelectronics & VLSI Design Lab, National Institute of Technology, Patna, Bihar, India)
,
Sharma Shashi Kant
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 51 号： 2 ページ： 704-711 発行年： 2022年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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