前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202202213591477505
整理番号：22A0848246
AlON界面層を有するHfZrO_xベースp-FeFETで観測した放射線下の信頼性とリード待ち時間の改善【JST・京大機械翻訳】
Improved Reliability and Read Latency Under Radiation Observed in HfZrOx Based p-FeFETs With AlON Interfacial Layer
Peng Hao-Kai
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lai Ting-Chieh
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Kao Tien-Hong
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wu Yung-Hsien
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 43 号： 3 ページ： 494-497 発行年： 2022年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。