文献
J-GLOBAL ID:202202214230312220
整理番号:22A0909053
RFパワー応用のための高温でのAl_0.45Ga_0.55Nチャネル超広帯域HEMTにおけるElectron移動度と速度【JST・京大機械翻訳】
Electron mobility and velocity in Al0.45Ga0.55N-channel ultra-wide bandgap HEMTs at high temperatures for RF power applications
著者 (5件):
Ye Hansheng
(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
Gaevski Mikhail
(College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
,
Simin Grigory
(College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
,
Khan Asif
(College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
,
Fay Patrick
(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
120
号:
10
ページ:
103505-103505-6
発行年:
2022年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)