文献
J-GLOBAL ID:202202214947168969
整理番号:22A0848405
CMOSイメージセンサにおけるピン止めフォトダイオードの電荷移動ポテンシャル障壁モデル【JST・京大機械翻訳】
Charge Transfer Potential Barrier Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors
著者 (4件):
Wang Xiuyu
(School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin, China)
,
Gao Yingqiao
(School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin, China)
,
Gao Zhiyuan
(School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin, China)
,
Xu Jiangtao
(School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin, China)
資料名:
IEEE Sensors Journal
(IEEE Sensors Journal)
巻:
22
号:
5
ページ:
4036-4042
発行年:
2022年
JST資料番号:
W1318A
ISSN:
1530-437X
CODEN:
ISJEAZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)