文献
J-GLOBAL ID:202202215271539588
整理番号:22A0475697
CMOSトランジスタ用の薄いAl_2O_3/SiO_2誘電体スタックの特性評価【JST・京大機械翻訳】
Characterization of thin Al2O3/SiO2 dielectric stack for CMOS transistors
著者 (7件):
Yan Yiyi
(ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
,
Kilchytska Valeriya
(ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
,
Wang Bin
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Faniel Sebastien
(ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
,
Zeng Yun
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Raskin Jean-Pierre
(ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
,
Flandre Denis
(ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
254
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)