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J-GLOBAL ID:202202215276572149   整理番号:22A0551523

2Dナノ材料電界効果トランジスタセンサの分子工学:革新スペクトルを横切る基礎と翻訳【JST・京大機械翻訳】

Molecular Engineering of 2D Nanomaterial Field-Effect Transistor Sensors: Fundamentals and Translation across the Innovation Spectrum
著者 (6件):
Chen Junhong
(Pritzker School of Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, IL, 60637, USA)
Chen Junhong
(Chemical Sciences and Engineering Division, Physical Sciences and Engineering Directorate, Argonne National Laboratory, Lemont, IL, 60439, USA)
Pu Haihui
(Pritzker School of Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, IL, 60637, USA)
Pu Haihui
(Chemical Sciences and Engineering Division, Physical Sciences and Engineering Directorate, Argonne National Laboratory, Lemont, IL, 60439, USA)
Hersam Mark C.
(Department of Materials Science and Engineering and Department of Chemistry, Northwestern University, Evanston, IL, 60208, USA)
Westerhoff Paul
(School of Sustainable Engineering and The Built Environment, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA)

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 34  号:ページ: e2106975  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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