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文献
J-GLOBAL ID：202202215873299387
整理番号：22A0631247
WL-WD:相変化メモリのための書込み外乱誤差を軽減するための摩耗レベル化ソリューション【JST・京大機械翻訳】
WL-WD: Wear-Leveling Solution to Mitigate Write Disturbance Errors for Phase-Change Memory
Kim Moonsoo
(Samsung Electronics, Hwasung, South Korea)
,
Lee Hyokeun
(Inter-University Semiconductor Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Kim Hyun
(Department of Electrical and Information Engineering, Research Center for Electrical and Information Technology, Seoul National University of Science and Technology, Seoul, South Korea)
,
Lee Hyuk-Jae
(Inter-University Semiconductor Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Access
(IEEE Access)
巻： 10 ページ： 11420-11431 発行年： 2022年
JST資料番号： W2422A ISSN： 2169-3536 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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