文献
J-GLOBAL ID:202202218424482668
整理番号:22A0704735
半導体ビームにおける不均一断面積変動増強フレキソ電気結合とその電荷キャリア再分布への応用【JST・京大機械翻訳】
Non-homogeneous cross section variation enhanced flexoelectric coupling in semiconductor beams and its application in charge carrier redistribution
著者 (3件):
Zhao Luke
(State Key Laboratory for Strength and Vibration of Mechanical Structures, School of Aerospace, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China)
,
Li Peng
(State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, College of Aerospace Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China)
,
Jin Feng
(State Key Laboratory for Strength and Vibration of Mechanical Structures, School of Aerospace, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
131
号:
6
ページ:
065701-065701-11
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)