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文献
J-GLOBAL ID：202202218818112115
整理番号：22A1091144
サファイア上のGaNエピタキシャル膜の電子及び光学特性に及ぼすパルスイオンビーム処理の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of pulsed ion-beam treatment on the electronic and optical properties of GaN epitaxial films on sapphire
Zatsepin D.A.
(Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia)
,
Zatsepin D.A.
(Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 18 Kovalevskoj Str., 620990 Yekaterinburg, Russia)
,
Boukhvalov D.W.
(Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia)
,
Boukhvalov D.W.
(College of Science, Institute of Materials Physics and Chemistry, Nanjing Forestry University, Nanjing 210037, PR China)
,
Buntov E.A.
(Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia)
,
Zatsepin A.F.
(Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia)
,
Batalov R.I.
(Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia)
,
Novikov H.A.
(Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia)
,
Bayazitov R.M.
(Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 590 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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