文献
J-GLOBAL ID:202202219044214630
整理番号:22A0630836
フラッシュメモリのための低複雑度耐久性変調【JST・京大機械翻訳】
A Low-Complexity Endurance Modulation for Flash Memory
著者 (2件):
Ismail Amr
(Bristol Research and Innovation Laboratory, Toshiba Research Europe Ltd, Bristol, U.K.)
,
Sandell Magnus
(Bristol Research and Innovation Laboratory, Toshiba Research Europe Ltd, Bristol, U.K.)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻:
69
号:
2
ページ:
424-428
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0347A
ISSN:
1549-7747
CODEN:
ITCSFK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)