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文献
J-GLOBAL ID：202202219072077414
整理番号：22A1101099
窒化チタン電極におけるTiナノドットN比の最適化によるHf_0.5Zr_0.5O_2系強誘電体キャパシタの改善された耐久性【JST・京大機械翻訳】
Improved Endurance of Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Capacitor Through Optimizing the Ti-N Ratio in TiN Electrode
Dang Zhiwei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Lv Shuxian
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gao Zhaomeng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Chen Meiwen
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Xu Yannan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Jiang Pengfei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Ding Yaxin
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yuan Peng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Yuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Chen Yuting
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Luo Qing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Yan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 43 号： 4 ページ： 561-564 発行年： 2022年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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