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文献
J-GLOBAL ID:202202219126460594   整理番号:22A0296048

二次元PoissonおよびSchroedinger波動方程式を組み込んだデュアルゲート材料トンネル電界効果トランジスタモデル【JST・京大機械翻訳】

A dual gate material tunnel field effect transistor model incorporating two-dimensional Poisson and Schrodinger wave equations
著者 (3件):
Mohanty Sadhana Subhadarshini
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
Dutta Pradipta
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
Das Jitendra Kumar
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)

資料名:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields  (International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)

巻: 35  号:ページ: e2933  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0597A  ISSN: 0894-3370  CODEN: IJNFEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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