文献
J-GLOBAL ID:202202219126460594
整理番号:22A0296048
二次元PoissonおよびSchroedinger波動方程式を組み込んだデュアルゲート材料トンネル電界効果トランジスタモデル【JST・京大機械翻訳】
A dual gate material tunnel field effect transistor model incorporating two-dimensional Poisson and Schrodinger wave equations
著者 (3件):
Mohanty Sadhana Subhadarshini
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
,
Dutta Pradipta
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
,
Das Jitendra Kumar
(Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
資料名:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
(International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)
巻:
35
号:
1
ページ:
e2933
発行年:
2022年
JST資料番号:
T0597A
ISSN:
0894-3370
CODEN:
IJNFEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)