文献
J-GLOBAL ID:202202219550101919
整理番号:22A0727311
ペロブスカイト量子ドットのステップフローティングゲートを持つ光電論理とその場メモリトランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Photoelectric Logic and In Situ Memory Transistors with Stepped Floating Gates of Perovskite Quantum Dots
著者 (9件):
Pei Junxiang
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Wu Xiaohan
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Wu Xiaohan
(Zhangjiang Fudan International Innovation Center, China)
,
Liu Wen-Jun
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Zhang David Wei
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Zhang David Wei
(National Integrated Circuit Innovation Center, China)
,
Zhang David Wei
(Zhangjiang Fudan International Innovation Center, China)
,
Ding Shi-Jin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Ding Shi-Jin
(National Integrated Circuit Innovation Center, China)
資料名:
ACS Nano
(ACS Nano)
巻:
16
号:
2
ページ:
2442-2451
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2326A
ISSN:
1936-0851
CODEN:
ANCAC3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)