文献
J-GLOBAL ID:202202219581390728
整理番号:22A1157409
自己指向性電流伝導チャネルを有するセレン化ゲルマニウムメモリスタの温度-周波数研究【JST・京大機械翻訳】
Temperature-Frequency Study of Germanium Selenide Memristors with a Self-Directed Current-Conducting Channel
著者 (2件):
Aleshin A. N.
(Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
,
Ruban O. A.
(Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
資料名:
Russian Microelectronics
(Russian Microelectronics)
巻:
51
号:
2
ページ:
59-67
発行年:
2022年
JST資料番号:
W4926A
ISSN:
1063-7397
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)