文献
J-GLOBAL ID:202202220290077142
整理番号:22A1083038
改良仮想源放出拡散モデルによるN型有機薄膜トランジスタにおける接触品質のベンチマーク【JST・京大機械翻訳】
Benchmarking contact quality in N-type organic thin film transistors through an improved virtual-source emission-diffusion model
著者 (5件):
Dallaire Nicholas J.
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)
,
Brixi Samantha
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)
,
Claus Martin
(Center for Advancing Electronics Dresden, Technische Universitaet Dresden, Germany)
,
Blawid Stefan
(Centro de Informatica, Universidade de Pernambuco, Cidade Universitaria, Recife 50740-560, PE, Brazil)
,
Lessard Benoit H.
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)
資料名:
Applied Physics Reviews
(Applied Physics Reviews)
巻:
9
号:
1
ページ:
011418-011418-9
発行年:
2022年
JST資料番号:
W3502A
ISSN:
1931-9401
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)