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文献
J-GLOBAL ID:202202220290077142   整理番号:22A1083038

改良仮想源放出拡散モデルによるN型有機薄膜トランジスタにおける接触品質のベンチマーク【JST・京大機械翻訳】

Benchmarking contact quality in N-type organic thin film transistors through an improved virtual-source emission-diffusion model
著者 (5件):
Dallaire Nicholas J.
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)
Brixi Samantha
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)
Claus Martin
(Center for Advancing Electronics Dresden, Technische Universitaet Dresden, Germany)
Blawid Stefan
(Centro de Informatica, Universidade de Pernambuco, Cidade Universitaria, Recife 50740-560, PE, Brazil)
Lessard Benoit H.
(Department of Chemical & Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada)

資料名:
Applied Physics Reviews  (Applied Physics Reviews)

巻:号:ページ: 011418-011418-9  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3502A  ISSN: 1931-9401  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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