文献
J-GLOBAL ID:202202220584169531
整理番号:22A0554433
水素不動態化によりTi/Zr_3N_2/p-Siキャパシタで観察された改善された抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】
Improved Resistive Switching Observed in Ti/Zr3N2/p-Si Capacitor via Hydrogen Passivation
著者 (4件):
Bae Dongjoo
(Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea)
,
Lee Doowon
(Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea)
,
Kim Sungho
(Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea)
,
Kim Hee-Dong
(Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea)
資料名:
IEEE Access
(IEEE Access)
巻:
10
ページ:
6622-6628
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2422A
ISSN:
2169-3536
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)