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文献
J-GLOBAL ID：202202221151802959
整理番号：22A0626816
強誘電体酸化ハフニウムを用いた高性能自己出力光センシングと再構成可能焦電メモリ【JST・京大機械翻訳】
High-Performing Self-Powered Photosensing and Reconfigurable Pyro-photoelectric Memory with Ferroelectric Hafnium Oxide
Kumar Mohit
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
,
Kumar Mohit
(Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
,
Seo Hyungtak
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
,
Seo Hyungtak
(Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 34 号： 5 ページ： e2106881 発行年： 2022年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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