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文献
J-GLOBAL ID：202202221515973988
整理番号：22A0919833
傾斜AlGaNバッファ層を有するSi基板上に成長させたAlGaN/GaN HEMTのシート抵抗の均一性に及ぼす機構的影響【JST・京大機械翻訳】
Mechanistic influence on uniformity of sheet resistance of AlGaN/GaN HEMT grown on Si substrate with the graded AlGaN buffer layers
Ma Jinbang
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Ma Jinbang
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Yachao
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Yachao
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Li Yifan
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Li Yifan
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Tao
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Tao
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Yao Yixin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Yao Yixin
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Feng Qian
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Feng Qian
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Bi Zhen
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Bi Zhen
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Jincheng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Jincheng
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Hao Yue
(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 199 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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