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文献
J-GLOBAL ID：202202221890731628
整理番号：22A0958728
SONOS電荷捕獲メモリアレイにおける重イオンにより誘起されたシングルイベント効果【JST・京大機械翻訳】
Single-Event Effects Induced by Heavy Ions in SONOS Charge Trapping Memory Arrays
Xiao T. Patrick
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Bennett Christopher H.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Agarwal Sapan
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Hughart David R.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Barnaby Hugh J.
(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Puchner Helmut
(Infineon Technologies, San Jose, CA, USA)
,
Talin A. Alec
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Marinella Matthew J.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69 号： 3 ページ： 406-413 発行年： 2022年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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