文献
J-GLOBAL ID:202202222344331039
整理番号:22A1153992
GaN中間層を有するInAlN/AlN/InGaN高Electron移動度トランジスタにおける改善された2D Electronガス移動度の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of Improved 2D Electron Gas Mobility in InAlN/AlN/InGaN High-Electron-Mobility Transistors with GaN Interlayer
著者 (5件):
Tang Jinjin
(School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
,
Liu Guipeng
(School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
,
Mao Bangyao
(School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
,
Zhao Guijuan
(School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
,
Yang Jianhong
(School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
資料名:
Physica Status Solidi. Rapid Research Letters
(Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻:
16
号:
4
ページ:
e2100573
発行年:
2022年
JST資料番号:
W1880A
ISSN:
1862-6254
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)