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文献
J-GLOBAL ID：202202222420694495
整理番号：22A0885386
Mgドーピングによる付加ポテンシャルを用いた高Al含有量AlGaN量子井戸の価電子準位配置の制御【JST・京大機械翻訳】
Regulating the valence level arrangement of high-Al-content AlGaN quantum wells using additional potentials with Mg doping
Lu Shiqiang
(Fujian Key Laboratory of Semiconductor Materials and Applications, CI Center for OSED, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China. linwei@xmu.edu.cn jykang@xmu.edu.cn)
,
Zheng Tongchang
,
Jiang Ke
,
Sun Xiaojuan
,
Li Dabing
,
Chen Hangyang
,
Li Jinchai
,
Zhou Yinghui
,
Cai Duanjun
,
Li Shuping
,
Lin Wei
,
Kang Junyong
資料名：
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24 号： 9 ページ： 5529-5538 発行年： 2022年
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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