文献
J-GLOBAL ID:202202223081056521
整理番号:22A0433479
n-GaAs表面上の低エネルギーN_2+イオンのP-nナノ構造形成効果【JST・京大機械翻訳】
P-n nanostructure formation effect of low-energy N2 + ions on n-GaAs surface
著者 (4件):
Mikoushkin V.M.
(Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia)
,
Makarevskaya E.A.
(Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia)
,
Marchenko D.E.
(Helmgoltz-Zentrum Berlin for Materials und Energy, 12489 Berlin, Germany)
,
Marchenko D.E.
(Saint-Petersburg University, 199034 Saint-Petersburg, Russia)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
577
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)