文献
J-GLOBAL ID:202202223626775561
整理番号:22A0909168
電子照射下のGaAsおよびInGaP太陽電池における拡散長損傷係数のモデリング【JST・京大機械翻訳】
Modeling diffusion length damage coefficient in GaAs and InGaP solar cells under electron irradiation
著者 (1件):
Bisht P.
(U R Rao Satellite Centre, HAL Old Airport Road, Vimanapura, Bengaluru, Karnataka 560017, India)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
131
号:
10
ページ:
104503-104503-11
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)