文献
J-GLOBAL ID:202202223946670934
整理番号:22A1170887
Janus MoSeTe単分子層に対する超低格子熱伝導率と高い性能指数:高温領域熱電デバイス用の無 pe材料【JST・京大機械翻訳】
Ultra-low lattice thermal conductivity and high figure of merit for Janus MoSeTe monolayer: a peerless material for high temperature regime thermoelectric devices
著者 (4件):
Saini Shivani
(Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India)
,
Shrivastava Anup
(Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India)
,
Dixit Ambesh
(Indian Institute of Technology Jodhpur, Karwar, India)
,
Singh Sanjai
(Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India)
資料名:
Journal of Materials Science
(Journal of Materials Science)
巻:
57
号:
13
ページ:
7012-7022
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0722A
ISSN:
0022-2461
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)