文献
J-GLOBAL ID:202202225101007293
整理番号:22A0445119
外部電場の存在下でのシリセンナノリボンにおけるリンドーピングの配置【JST・京大機械翻訳】
Configuration of phosphorus doping in silicene nanoribbons in the presence of an external electric field
著者 (1件):
Van Ngoc Hoang
(Institute of Applied Technology, Thu Dau Mot University, No 6 Tran Van On Street, Thu Dau Mot, Binh Duong Province, Vietnam)
資料名:
Materials Today: Proceedings
(Materials Today: Proceedings)
巻:
49
号:
P5
ページ:
1674-1679
発行年:
2022年
JST資料番号:
W3531A
ISSN:
2214-7853
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)