文献
J-GLOBAL ID:202202225129979165
整理番号:22A0906335
低温窒化けい素薄膜堆積のための基板に適用した2MHz周波数電力の効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of 2 MHz frequency power applied to the substrate for low-temperature silicon nitride thin film deposition
著者 (4件):
Ahn Sejin
(School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Hong Sung Jae
(Wonik IPS, Pyeongtaek, 17840, Republic of Korea)
,
Yang Ho Sik
(Wonik IPS, Pyeongtaek, 17840, Republic of Korea)
,
Cho Sung Min
(School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
143
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)