文献
J-GLOBAL ID:202202225907135601
整理番号:22A1082050
二元インジウム/酸化すず膜のトランジスタデバイス性能に対する極薄酸化アルミニウムの電子影響【JST・京大機械翻訳】
Electronic influence of ultrathin aluminum oxide on the transistor device performance of binary indium/tin oxide films
著者 (3件):
Bueschges M. Isabelle
(Fachbereich Chemie, Eduard-Zintl-Institut, Fachgebiet Anorganische Chemie, Technische Universitaet Darmstadt, Alarich-Weiss-Strasse 12, 64287 Darmstadt, Germany. joerg.schneider@tu-darmstadt.de)
,
Trouillet Vanessa
,
Schneider Joerg J.
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
10
号:
14
ページ:
5447-5457
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)