文献
J-GLOBAL ID:202202225993680011
整理番号:22A0856797
Fe-Ni-Mn/p-Si Schottkyダイオードの電子特性に対する照明強度効果【JST・京大機械翻訳】
Illumination intensities effect on electronic properties of Fe-Ni-Mn/p-Si Schottky diode
著者 (3件):
Aldirmaz E.
(Department of Physics, Amasya University, Amasya, Turkey)
,
Gueler M.
(Department of Physics, Ankara Haci Bayram Veli University, Ankara, Turkey)
,
Gueler E.
(Department of Physics, Ankara Haci Bayram Veli University, Ankara, Turkey)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
33
号:
7
ページ:
4132-4144
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)