文献
J-GLOBAL ID:202202226016491920
整理番号:22A0976659
人工知能のためのHf-Al-O合金を通して可能となった高スイッチング均一性とマルチレベルメモリ蓄積を持つニューロモルフィックシナプス【JST・京大機械翻訳】
Neuromorphic Synapses with High Switching Uniformity and Multilevel Memory Storage Enabled through a Hf-Al-O Alloy for Artificial Intelligence
著者 (4件):
Ismail Muhammad
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Republic of Korea)
,
Mahata Chandreswar
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Republic of Korea)
,
Kwon Osung
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Republic of Korea)
,
Kim Sungjun
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Republic of Korea)
資料名:
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻:
4
号:
3
ページ:
1288-1300
発行年:
2022年
JST資料番号:
W5669A
ISSN:
2637-6113
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)