文献
J-GLOBAL ID:202202226490346851
整理番号:22A0949503
遷移金属ドープ炭化ケイ素単分子層の電子特性の密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】
A density functional theory study of electronic properties of transition metals doped silicon carbide monolayer
著者 (4件):
Majid Abdul
(Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat, Pakistan)
,
Kanwal Hajra
(Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat, Pakistan)
,
Khan Salahuddin
(College of Engineering, King Saud University, P. O. Box 800, Riyadh 11421, Saudi Arabia)
,
Khan Shaukat
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, South Korea)
資料名:
International Journal of Quantum Chemistry
(International Journal of Quantum Chemistry)
巻:
122
号:
9
ページ:
e26877
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0853A
ISSN:
0020-7608
CODEN:
IJQCB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)