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文献
J-GLOBAL ID：202202226513385952
整理番号：22A0973974
多段階成長過程でMOCVDによりc面サファイア上に成長させたε-Ga_2O_3【JST・京大機械翻訳】
ε-Ga2O3 Grown on c-Plane Sapphire by MOCVD with a Multistep Growth Process
Hsu Yu-Hsuan
(Department of Photonics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC)
,
Wu Wan-Yu
(Department of Biomedical Engineering, Da-Yeh University, Taiwan, ROC)
,
Lin Kun-Lin
(Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI), National Applied Research Laboratories, Taiwan, ROC)
,
Chen Yu-Hsuan
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan, ROC)
,
Lin Yi-Hsin
(Department of Photonics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC)
,
Liu Po-Liang
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan, ROC)
,
Hsiao Ching-Lien
(Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology, Linkoeping University, Sweden)
,
Horng Ray-Hua
(Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC)
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 22 号： 3 ページ： 1837-1845 発行年： 2022年
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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