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J-GLOBAL ID:202202226636088630   整理番号:22A0704666

接触レッジ構造を持つ再成長Ohm接触による低電圧RF応用のための高性能ミリ波InAlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

High performance millimeter-wave InAlN/GaN HEMT for low voltage RF applications via regrown Ohmic contact with contact ledge structure
著者 (13件):
Zhou Yuwei
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Mi Minhan
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Yang Mei
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Han Yutong
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Wang Pengfei
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Chen Yilin
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Liu Jielong
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Gong Can
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Lu Yiwei
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Zhang Meng
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Zhu Qing
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Ma Xiaohua
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 120  号:ページ: 062104-062104-7  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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